0.22～3μF

3000V.DC～10000V.DC

±5%(דזש); ±10%(ק)

1.35 אונס גלייכשטראָם/10 סעקונדעס

tgδ≤0.001 f=1KHz

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ביי 20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (ביי 20℃ 100V.DC 60S)

זען דאַטאַשיט

100,000ה(און; Θהאָטספּאָט≤70°C)

IEC 61071;

קאַפּאַסיטאַנס (μF)

φD (מם)

ל(מ״מ)

L1(מם)

ענגליש ווי א צווייטע שטאפל (nH)

dv/dt(V/μS)

איי-פיק(א)

אירמס(א)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

טויזנט

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

טויזנט

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

קאַפּאַסיטאַנס (μF)

φD (מם)

ל(מ״מ)

L1(מם)

ענגליש ווי א צווייטע שטאפל (nH)

dv/dt(V/μS)

איי-פיק(א)

אירמס(א)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

טויזנט

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

קאַפּאַסיטאַנס (μF)

φD (מם)

ל(מ״מ)

L1(מם)

ענגליש ווי א צווייטע שטאפל (nH)

dv/dt(V/μS)

איי-פיק(א)

אירמס(א)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

טויזנט

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

קאַפּאַסיטאַנס (μF)

φD (מם)

ל(מ״מ)

L1(מם)

ענגליש ווי א צווייטע שטאפל (nH)

dv/dt(V/μS)

איי-פיק(א)

אירמס(א)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

טויזנט

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

קאַפּאַסיטאַנס (μF)

φD (מם)

ל(מ״מ)

L1(מם)

ענגליש ווי א צווייטע שטאפל (nH)

dv/dt(V/μS)

איי-פיק(א)

אירמס(א)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

טויזנט

טויזנט

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70