הויך-קראַנט פילם קאַפּאַסאַטער סנובבער פֿאַר וועלדינג מאַשין (SMJ-TC)
טעכניש דאַטן
אַפּערייטינג טעמפּעראַטור קייט | מאַקס.אַפּערייטינג טעמפּעראַטור., שפּיץ, מאַקס: + 85 ℃ אויבערשטער קאַטעגאָריע טעמפּעראַטור: + 85 ℃ נידעריקער קאַטעגאָריע טעמפּעראַטור: -40 ℃ |
קאַפּאַסאַטאַנס קייט | 0.22-3μף |
רייטאַד וואָולטידזש | 3000V.DC ~ 10000V.DC |
קאַפּ.טאָל | ± 5% (דזש); ± 10% (ק) |
וויטסטאַנד וואָולטידזש | 1.35Un DC/10S |
דיסיפּיישאַן פאַקטאָר | tgδ≤0.001 f=1KHz |
ינסאַליישאַן קעגנשטעל | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ביי 20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (ביי 20℃ 100V.DC 60S) |
וויטסטאַנד שלאָגן קראַנט | זען דאַטן בלאַט |
לעבן יקספּעקטאַנסי | 100,000ה(און; Θהאָטספּאָט≤70°C) |
רעפערענץ נאָרמאַל | יעק 61071; |
שטריך
1. מילאַר טייפּ, געחתמעט מיט סמאָלע;
2. קופּער נוס פירט;
3. קעגנשטעל צו הויך וואָולטידזש, נידעריק טגδ, נידעריק טעמפּעראַטור העכערונג;
4. נידעריק עסל און עסר;
5. הויך דויפעק קראַנט.
אַפּפּליקאַטיאָן
1. גטאָ סנובבער.
2. וויידלי געניצט אין מאַכט עלעקטראָניש ויסריכט ווען די שפּיץ וואָולטידזש, שפּיץ קראַנט אַבזאָרפּשאַן שוץ.
טיפּיש קרייַז
אַוטליין צייכענונג
ספּעציפיקאַציע
Un=3000V.DC | |||||||
קאַפּאַסאַטאַנס (μF) | φ ד (מם) | ל (מם) | L1(מם) | ESL(nH) | דוו/דט (V/μS) | יפּק (א) | ירמס (א) |
0.22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
0.33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
0.47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
0.68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
Un=6000V.DC | |||||||
קאַפּאַסאַטאַנס (μF) | φ ד (מם) | ל (מם) | L1(מם) | ESL(nH) | דוו/דט (V/μS) | יפּק (א) | ירמס (א) |
0.22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
0.33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
0.47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
0.68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
Un=7000V.DC | |||||||
קאַפּאַסאַטאַנס (μF) | φ ד (מם) | ל (מם) | L1(מם) | ESL(nH) | דוו/דט (V/μS) | יפּק (א) | ירמס (א) |
0.22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
0.68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
Un=8000V.DC | |||||||
קאַפּאַסיטאַנס (μF) | φ ד (מם) | ל (מם) | L1(מם) | ESL(nH) | דוו/דט (V/μS) | יפּק (א) | ירמס (א) |
0.33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
0.47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
0.68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
Un=10000V.DC | |||||||
קאַפּאַסאַטאַנס (μF) | φ ד (מם) | ל (מם) | L1(מם) | ESL(nH) | דוו/דט (V/μS) | יפּק (א) | ירמס (א) |
0.33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
0.47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
0.68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |