מעטאַליזעד פילם IGBT סנובבער קאַפּאַסאַטער

קורץ באַשרייַבונג:

1. פּלאַסטיק פאַל, געחתמעט מיט סמאָלע;

2. צין-פּלייטאַד קופּער ינסערץ פירט, גרינג ינסטאַלירונג פֿאַר יגבט;

3. קעגנשטעל צו הויך וואָולטידזש, נידעריק טגδ, נידעריק טעמפּעראַטור העכערונג;

4. נידעריק עסל און עסר;

5. הויך דויפעק קראַנט.

שיקן E- בריוו צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

SMJ-P סעריע

אין מאַכט עלעקטראָניק אַפּלאַקיישאַנז, אַ סנאַבער קאַפּאַסאַטער איז פארבונדן צו אַ גרויס-קראַנט סוויטשינג נאָדע פֿאַר די ציל פון רידוסינג די פּעראַסיטיק ינדאַקטאַנס פון עלעקטריש וויירינג.

פּעראַסיטיק ינדאַקטאַנס ז אַ גרויס סערדזש ביי באַשטימען-אַוועק (ווען די קראַנט איז אפגעשטעלט), און אויב אַזאַ סערדזשאַז יקסיד די קאָמפּאָנענט רייטינגז, עס זענען קאַנסערנז פון קאָנסעקווענט דורכפאַל אין די ערגסט פאַל.

דורך ניצן נידעריק ינדאַקטאַנס ינערלעך קאַנסטראַקשאַנז, אַפּשאַנאַל מאָולדיד סמאָלע קאַסעס, און קאַסטאַמייזד טערמאַניישאַנז, SMJ-P סעריע איז דיזיינד פֿאַר שנעל סוויטשינג IGBTS און קענען דינען ווי סנאַבערז און הויך קראַנט הויך אָפטקייַט אַרייַנשרייַב פילטערס.

טעכניש דאַטן

וואָולטידזש	א 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	דימענשאַנז (מם)
Cn(μF)	ל (± 1)	ט (± 1)	ה (± 1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	דוו/דט (V/μS)	יפּק (א)	ירמס @40℃ @100KHz (א)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
וואָולטידזש	א 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	דימענשאַנז (מם)
Cn(μF)	ל (± 1)	ט (± 1)	ה (± 1)	ESR(מΩ)	ESL(nH)	דוו/דט (V/μS)	יפּק (א)	ירמס
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
וואָולטידזש	א 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	ל (± 1)	ט (± 1)	ה (± 1)	ESR(מΩ)	ESL(nH)	דוו/דט (V/μS)	יפּק (א)	ירמס
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
וואָולטידזש	א 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	ל (± 1)	ט (± 1)	ה (± 1)	ESR(מΩ)	ESL(nH)	דוו/דט (V/μS)	יפּק (א)	ירמס
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
וואָולטידזש	א 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	ל (± 1)	ט (± 1)	ה (± 1)	ESR(מΩ)	ESL(nH)	דוו/דט (V/μS)	יפּק (א)	ירמס
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
וואָולטידזש	א 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	ל (± 1)	ט (± 1)	ה (± 1)	ESR(מΩ)	ESL(nH)	דוו/דט (V/μS)	יפּק (א)	ירמס
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28